1.技術特點：
優質的爐膛隔熱材料(碳氈)和高氣密性爐膛，爲多晶矽生長提供優良的條件。
高性能的加熱系統，能保證結晶過程中矽材料的均勻性和一致性。
採用1600℃陶瓷纖維+石墨軟氈雙重安全防護設計,並有自動漏矽感應系統，可及時啟動漏矽應急措施。其卓越的安全保障，大大降低事故隱患。
真空系統採用三泵設計，生長期內使用小副泵維持，大大降低了真空系統的能耗。
工藝過程電腦全自動控制，圖形模擬顯示，操作簡潔方便。
先進的多晶矽定向凝固技術。
隔熱籠同步提昇技術，保證垂直方向的溫度梯度和固液界面水平;
垂直方向溫度梯度的熱場設計，可實現快速的晶體生長
2.規格型號:
|
型號 |
TC500 |
TC650 |
|
設備尺寸 mm |
L3700×W3900×H4200 |
L3700×W3900×H4200 |
|
矽錠尺寸 mm |
480kg：840×840×300 |
650kg：1000×1000×280 |
|
矽錠重量 kg |
420-480 |
650-700 |
|
生產週期 hr |
52-56 |
60-63 |
|
配電 |
AC 380±10% V 50Hz，200kVA， 三相五線制. |
AC 380±10% V 50Hz，200KVA， 三相五線制. |
|
加熱功率 kw |
165 |
165 |
|
單爐次加熱能耗 kW.hr |
＜2980(430kg) |
＜4100(680kg) |
|
最高溫度 ℃ |
1600 |
1600 |
|
最高工作溫度 ℃ |
1590 |
1590 |
|
真空系統 |
機械泵+羅茨泵 |
機械泵+羅茨泵 |
|
爐內極限真空 mbar |
0.02 |
0.02 |
|
系統漏率 mbar∕hr |
0.01 |
0.01 |
|
抽空時間 min |
～39 |
～39 |
|
冷卻水 |
流量：140L/min
壓力：3.5~5bar
壓差：＞0.25bar
進水溫度：21-30℃ |
流量：140L/min
壓力：3.5~5bar
壓差：＞0.25bar
進水溫度：21-31℃ |
|
壓縮空氣 bar |
5~6 |
5~6 |
|
工藝氣體 Ar |
流量：0-50L/min
氣源純度：≤50ppm
單爐耗氣量：～70m3
壓力：4~6bar |
流量：0-50L/min
氣源純度：≤50ppm
單爐耗氣量：～100m3
壓力：4~6bar | |
